엔비디아의 800V 파트너 리스트,
제대로 읽은 사람은 드물었다

엔비디아가 발표한 14개 기업: 같은 리스트, 다른 포지션

2025년 10월 OCP 글로벌 서밋에서 엔비디아는 800VDC AI 팩토리 아키텍처를 지원하는 14개의 실리콘 파트너를 공개했습니다: ADI, AOS, EPC, Infineon, Innoscience, MPS, Navitas, onsemi, Power Integrations, Renesas, Richtek, ROHM, STMicroelectronics, Texas Instruments.

리스트가 14개나 되는 이유는 간단합니다. 800V는 단일 부품이 아니기 때문입니다. 그리드에서 들어오는 수천 볼트부터 GPU 다이의 0.7V까지, 전력 경로는 네 가지 기능적 위치로 나뉩니다.

1MW 랙 시대: 왜 54V는 더 이상 작동하지 않는가

랙 전력이 수백 킬로와트, 나아가 메가와트 규모로 이동하면서 54V 방식은 케이블, 커넥터, 부스바, 동선 면적, 냉각에 막대한 부담을 줍니다. 7,400A급 전류 경로는 더 이상 패키징 디테일이 아닙니다. 그래서 랙 레벨 전압이 800V로 올라갑니다.

Schneider Electric은 2025년 10월 백서에서 이를 "물리적으로 불가피한(physically inevitable)" 전환이라 표현했으며, OCP Diablo 사양과 엔비디아 Rubin Ultra Kyber 로드맵도 같은 방향을 가리킵니다.

왜 실리콘은 더 이상 작동하지 않는가: GaN-SiC의 분기

현재 전력 반도체 시장의 84%가 아직도 실리콘이지만, 800V × MHz 조건(800V를 1MHz에 가깝게 스위칭)에서 실리콘은 물리적으로 따라오지 못합니다. 핵심은 밴드갭(bandgap)입니다.

4단계 상세 분석

Stage 1: SiC가 트랜스포머 위치로 이동

현재 1GW급 AI 데이터센터 건설의 최대 병목은 발전소가 아니라 트랜스포머입니다. 중간 전압(MV) 트랜스포머 납기가 2~3년으로 늘어났습니다. 고전압 SiC를 이용한 고체 변환기(SST)는 기존 저주파 트랜스포머를 전력 전자 장치로 대체해 체적을 1/3~1/5로 줄일 수 있습니다. 핵심 소자 클래스는 3,300V~10kV SiC이며, GaN은 이 전압 범위에 도달하지 못합니다.

Stage 2: 기본값이 흔들리는 유일한 단계

800V 버스 연결 직후 핫스왑·이퓨즈·PFC가 위치하는 곳입니다. SiC JFET는 노멀리-온 특성과 두꺼운 드리프트 레이어 덕분에 핫스왑에 자연스럽게 적합합니다. Power Integrations의 캐스코드 구조(고전압 GaN HEMT + 저전압 Si MOSFET)는 존재하지만, 신뢰성·자격인증·고객 설계 반영 증거가 아직 대부분 PI 주도 공개 자료에 의존합니다.

Stage 3: 8개 플레이어, 같은 포지션

GaN의 단계입니다. 800V를 12V 또는 6V로 낮춥니다. 핵심 토폴로지는 LLC 공진 컨버터이며 약 1MHz 근처에서 영전압 스위칭이 손실을 거의 없앱니다. APEC 2026에서 8개의 800V-저전압 레퍼런스 보드가 같은 포지션에 줄을 섰습니다.

97% 대 98%는 겉보기에 1%p 차이지만, 손실 관점에서는 3%→2%로 손실을 1/3 줄이는 것입니다. 100MW 데이터센터에서 이 1%p는 연간 약 8.8GWh의 차이로 이어집니다. 현재 모든 보드가 97~98% 밴드에 몰려 있으므로 차별화는 시스템 레벨 통합으로 이동합니다. Infineon이 자체 GaN·Si·컨트롤러·드라이버를 공급하는 가장 명확한 IDM 사례입니다.

Stage 4: GPU 옆 0.7V, 매출이 묻혀 있는 곳

12V 또는 6V에서 마지막 몇 센티미터 안에서 GPU 다이의 0.7V Vcore로 다시 낮아집니다. 각 AI GPU는 이제 Vcore 레일에서 1,000A 이상을 끌어갑니다. 핵심 회로는 멀티페이즈 VRM입니다. 이 포지션에서 가장 직접적인 기업은 Innoscience이며, Google AI 하드웨어 설계 반영을 HKEX에 공시했으나(2026-02) FY2025 AI/DC GaN 매출 비중은 전체의 약 5%에 불과합니다.

9개 기업의 투자 테제 분류

같은 14개 파트너 리스트에 있다고 해서 같은 종류의 베팅이 아닙니다.

결론: 800V는 하나의 포지션이 아니다

엔비디아의 14개 파트너 리스트가 긴 이유는 800V가 단일 부품이 아니기 때문입니다. 그리드 facing 전력 레이어부터 GPU 다이의 0.7V까지, 경로는 네 가지 기능적 위치로 나뉩니다. 각 위치는 서로 다른 물리학, 다른 소재, 다른 공급업체 지도를 요구합니다.

두 후보 소재인 GaN과 SiC는 밴드갭 면에서 실리콘보다 훨씬 넓지만, 성장 방식이 자연스러운 적합 위치를 결정합니다. SiC는 수직 폭포처럼 두껍게 쌓여 수천 볼트를 견딥니다. GaN은 수평 강처럼 얇은 측면 층에서 빠르게 흐릅니다. 그래서 Stage 1은 자연스럽게 SiC 쪽으로, Stage 3은 자연스럽게 GaN 쪽으로 기웁니다.

독자를 위한 3가지 렌즈

• 회사가 아니라 포지션을 먼저 보라. "800V"를 들으면 몇 번째 단계의 800V인지 물어라. 회사 이름을 들으면 먼저 그 회사가 매트릭스에서 어떤 단계에 참여하는지 확인하라. 같은 리스트라고 같은 그림 안에 있지 않다는 사실이 잘못된 독해의 80%를 막는다.
• 베팅 유형에 맞는 잣대를 써라. 그룹 A는 이익 모델로, 그룹 C는 시나리오 트리거의 확률·임팩트로 평가하라. 그룹 B는 조건부: 이벤트가 발생하면 A 모델로 이동한다.
• 향후 1~2년의 두 변곡점을 주시하라. ① Wolfspeed의 GAAP 매출총이익률(GM) 회복 분기가 플러스로 전환되면 EV SiC 사이클 교훈이 반복되지 않는다는 신호이며 그룹 B의 SiC 베팅 재분류 문을 연다. ② PI의 800V 메인 컨버터 설계 반영이 엔비디아 레퍼런스에 진입하면 Stage 2의 기본값이 바뀌고 인접한 Stage 3의 8개 경쟁 전제가 흔들린다.

부록 A: 주가 스냅샷 요약

지난 1년간 9개 기업의 주가는 최저 +45%에서 최고 +563%까지 약 12배 분산됐습니다. 양(+) 영업이익 기업과 음(−) 영업이익 기업이 거의 정확히 한 선을 따라 나뉩니다.

• 양(+) 영업이익: Infineon, onsemi, STM, Renesas, ROHM, Power Integrations
• 음(−) 영업이익: Navitas, Wolfspeed, Innoscience (모두 단일 소재 순수 기업)

800V AI 데이터센터는 아직 볼륨 전개 전 단계입니다. Rubin Ultra Kyber는 2027년입니다. 800V 노출이 클수록 현재 매출은 낮은 경향이 있습니다. 다각화된 IDM은 이미 매출을 내면서 800V 옵셔널리티를 쌓고 있고, 순수 기업들은 아직 실적 없이 시나리오 가격을 받고 있습니다.

부록 B: 신뢰도 사다리